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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
36
读取速度,GB/s
12.8
14.6
写入速度,GB/s
9.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2760
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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