RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3089
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link