RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
26
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3089
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link