Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 54
    Rund um 52% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.3 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 54
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 14.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche