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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2938
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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