RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
54
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2938
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link