RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2938
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link