RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2142
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link