RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3757
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link