RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3757
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link