RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3757
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link