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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
11.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2481
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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