Comparaison de la RAM Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Note globale

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 49

Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.3 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.4 8.7

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2427 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns