Comparação RAM Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Pontuação geral

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 49

Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.3 10.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.4 8.7

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2427 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns