Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Gesamtnote
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Unterschiede

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 7.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 49
    Rund um -36% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 7.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2427 left arrow 1891
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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