RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de -36% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
1891
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link