RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
7.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
1891
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link