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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2443
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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