RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3186
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link