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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3186
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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