RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
56
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2235
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link