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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
56
读取速度,GB/s
10.9
18.7
写入速度,GB/s
8.7
8.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2235
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
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