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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
55
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2248
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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