RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
55
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2248
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link