RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
55
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.2
9.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
50
Velocità di lettura, GB/s
9.3
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2078
2248
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link