RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
55
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
50
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2248
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link