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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2493
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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