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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9965662-004.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.2
12.1
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2493
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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