RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
51
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2286
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link