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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
51
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
51
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2286
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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