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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
51
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
51
Velocità di lettura, GB/s
10.2
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2286
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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