RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
51
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2314
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link