RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
51
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
51
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
9.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2314
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link