RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
92
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3567
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link