RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
51
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.2
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
51
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
9.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2314
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link