RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
86
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1658
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link