Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Unterschiede

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 42
    Rund um -45% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2423 left arrow 2909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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