RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2909
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link