RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2909
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link