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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
62
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,118.4
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
58
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
4,172.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
2,118.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
753
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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