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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
62
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,118.4
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
58
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
4,172.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
2,118.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
753
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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