Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

A-DATA Technology DQVE1A16 1GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    58 left arrow 62
    Por volta de 6% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,118.4 left arrow 1,950.7
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DQVE1A16 1GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 62
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 4,172.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,950.7 left arrow 2,118.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    651 left arrow 753
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