RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2436
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link