RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
44
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3665
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link