RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
44
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3665
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link