RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
49
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2878
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link