Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    39 left arrow 49
    Intorno -26% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.2 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.8 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    49 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.1 left arrow 15.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 14.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2070 left arrow 2878
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti