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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
39
读取速度,GB/s
10.1
15.2
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2878
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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