RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3705
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link