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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.1
17.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
15.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
3705
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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