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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
10.1
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3705
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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