RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3147
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link