RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3147
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link